Електроніка і мікросхемотехніка При зростанні зворотної напруги, прикладеної до р-n переходу, бар'єрна ємність переходу зростає, зменшується чи залишається незмінною? Дрейф носіїв електричного заряду в напівпровіднику зумовлений градієнтом концентрації носіїв, електричним полем чи температурою напівпровідника? Який із механізмів електричного пробою (тунельний чи лавинний) характерний для p-n переходу з низькою концентрацією домішок в базі? До якої області–p чи n–напівпровідникового p-n переходу треба під'єднати додатний полюс джерела постійної напруги, щоб отримати його пряме ввімкнення? Якою математичною залежністю (лінійною, експоненціальною, логарифмічною чи параболічною) описується початкова ділянка вольт-амперної характеристики напівпровідникового p-n переходу? Яке з умовних графічних позначень ( , , , ) (2) 1 2 3 4 належить кремнієвому стабілітрону? 7. Яка із залежностей фотодіода Ід = f(Ф) чи Еф = f(Ф) є лінійною? (1) 8. Наведене умовне позначення біполярного транзистора належить структурі провідності p-n-p чи n-p-n. 9. Який механізм переносу носіїв заряду в базі біполярного транзистора (дифузійний чи дрейфовий) забезпечує вищу його швидкодію ? 10.Яка із схем увімкнення біполярного транзистора (СЕ, СБ чи СК) має найбільший вхідний опір? 11. Яка із схем увімкнення біполярного транзистора (СЕ, СБ чи СК) має найбільший коефіцієнт підсилення за потужністю? 12. Яка із схем увімкнення біполярного транзистора (СЕ, СБ чи СК) забезпечує найкращі частотні властивості? 13. На основі яких транзисторів (біполярних чи польових) можна будувати підсилювачі з високим значенням вхідного опору? 14. Охоплення підсилювача послідовним від'ємним зворотним зв'язком приводить до збільшення, зменшення чи залишає незмінним вхідний опір? Від'ємний зворотний зв'язок за напругою приводить до збільшення, зменшення чи залишає незмінним вихідний опір підсилювача? При охопленні підсилювача частотно-незалежним від’ємним зворотним зв’язком його смуга пропускання розширюється, звужується чи залишається незмінною? II – рівень Задача 1 Розрахувати значення розділювальної ємності на виході підсилювального каскаду. Дано: Rвих=100 Ом, Rн=200 Ом, fн=100 Гц, Мн=1 дб. . Дано:  EMBED Equation.3 

Розв‘язок:  EMBED Equation.3 
 Задача 2. Визначити коефіцієнт фільтрації Г-подібного LC-фільтра, який під’єднаний на виході мостового однофазного випрямляча, якщо L =0,2 Гн, С=500 мкФ, fм=50 Гц. Дано:  EMBED Equation.3 
 EMBED Equation.3 
 EMBED Equation.3 

Розв‘язання:  EMBED Equation.3 
 Для мостового випрямляча  EMBED Equation.3 
  EMBED Equation.3 
 Задача 3. Знайти значення вихідного опору підсилювача охопленого від'ємним зворотним зв'язком за напругою, як показано на рисунку (k=1000, зз=0,1, Rвих=100 Ом). Дано:  EMBED Equation.3 
 EMBED Equation.3 
 EMBED Equation.3 

Розв‘язання:  EMBED Equation.3 
  EMBED Equation.3 
 Задача 4. Для наведеної на рисунку схеми підсилювача визначити коефіцієнт передачі за напругою і вхідний опір каскаду, якщо R1=10 кОм, R2=100 кОм, Кuо=104, Rвхд=100 кОм. Дано:  EMBED Equation.3 
;  EMBED Equation.3 
;  EMBED Equation.3 
;  EMBED Equation.3 

Розв‘язання. Для інвертованого включення  EMBED Equation.3 
 Оскільки каскад охоплений послідовним зворотнім зв‘язком, то  EMBED Equation.3 
 Задача 5. Для наведеної на рисунку схеми підсилювача визначити коефіцієнт передачі за напругою і максимальне значення дрейфу вхідної напруги при зміні температури оточуючого середовища з 20оС до 50оС. Дано:  EMBED Equation.3 
  EMBED Equation.3 
  EMBED Equation.3 
  EMBED Equation.3 
  EMBED Equation.3 

Розв‘язування Для інвертую чого ввімкнення  EM...